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原位薄膜應力測試儀

描述:原位薄膜應力測試儀又名原位薄膜應力計,采用非接觸激光MOS技術(shù)(shù);不但可以對樣品表面應力分布進(jìn)(jìn)行統計分析,而且還可以進(jìn)(jìn)行樣品表面二維應力、曲率成像分析;客戶(hù)(hù)可自行定義選擇使用任意一個(gè)(gè)或者一組激光點(diǎn)(diǎn)進(jìn)(jìn)行測量;并且這種設計始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)(diǎn)始終在同一頻率運動(dòng)(dòng)或掃描,從而有效的避免了外界振動(dòng)(dòng)對測試結果的影響;同時(shí)(shí)提高了測試的分辨率;適合各種材質(zhì)(zhì)和厚度薄膜應力分析;

更新時(shí)(shí)間:2024-04-24
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廠(chǎng)(chǎng)商性質(zhì)(zhì):代理商
詳情介紹
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原位薄膜應力測試儀采用非接觸激光MOS技術(shù)(shù);不但可以對樣品表面應力分布進(jìn)(jìn)行統計分析,而且還可以進(jìn)(jìn)行樣品表面二維應力、曲率成像分析;客戶(hù)(hù)可自行定義選擇使用任意一個(gè)(gè)或者一組激光點(diǎn)(diǎn)進(jìn)(jìn)行測量;并且這種設計始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)(diǎn)始終在同一頻率運動(dòng)(dòng)或掃描,從而有效的避免了外界振動(dòng)(dòng)對測試結果的影響;同時(shí)(shí)提高了測試的分辨率;適合各種材質(zhì)(zhì)和厚度薄膜應力分析;


原位薄膜應力測試儀

典型用戶(hù)(hù):Harvard University 2套,Stanford University,Johns Hopkins University,Brown University 2套,Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute,西安交通大學(xué)(xué),中國計量科學(xué)(xué)院等、半導體和微電子制造商(如IBM.,Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC,Nissan ARC,Nichia Glass Corporation)等所采用;

相關(guān)(guān)產(chǎn)(chǎn)品:
薄膜應力儀(kSA MOS 薄膜應力測量?jì)x):為獨立測量系統,同樣采用多光束MOS技術(shù)(shù),詳細信息請與我們聯(lián)(lián)系。


設備名稱(chēng)(chēng):

原位薄膜應力測量系統,原位薄膜應力測試儀,原位薄膜應力計,薄膜應力儀,kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System;


主要特點(diǎn)(diǎn):

  1.MOS 多光束傳感器技術(shù)(shù);
  2.單Port(樣品正上方)和雙Port(對稱(chēng)(chēng)窗口)系統設計;
  3.適合MOCVD, MBE, Sputter,PLD、蒸収系統等各種真空薄膜沉積系統以及熱處理設備等;
  4.薄膜應力各向異性測試和分析功能;
  5.生長(cháng)(cháng)速率和薄膜厚度測量;(選件)
  6.光學(xué)(xué)常數n&k 測量;(選件)
  7.多基片測量功能;(選件)
  8.基片旋轉追蹤測量功能;(選件)
  9.實(shí)(shí)時(shí)(shí)光學(xué)(xué)反饋控制技術(shù)(shù),系統安裝時(shí)(shí)可設置多個(gè)(gè)測試點(diǎn)(diǎn);
  10.免除了測量丌受真空系統振動(dòng)(dòng)影響;


測試功能:
  1.實(shí)(shí)時(shí)(shí)原位薄膜應力測量
  2.實(shí)(shí)時(shí)(shí)原位薄膜曲率測量
  3.實(shí)(shí)時(shí)(shí)原位應力*薄膜厚度曲線(xiàn)(xiàn)測量
  4.實(shí)(shí)時(shí)(shí)原位薄膜生長(cháng)(cháng)全過(guò)(guò)程應力監控等




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